casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABAEAWP-E:E
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABAEAWP-E:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABAEAWP-E:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAEAWP-E:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAWP-E:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABAEAWP-E:E-FT |
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECABH6-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECABH6-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECABH6-6R:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECBBH6-6ITR:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECBBH6-6R:B
Micron Technology Inc.
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation