casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR-FT |
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECABH6-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECABH6-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECABH6-6R:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECBBH6-6ITR:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECBBH6-6R:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel