casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABAEAH4-IT:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABAEAH4-IT:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABAEAH4-IT:E-FT |
W948D6FBHX6E
Winbond Electronics
W948D6FBHX6E TR
Winbond Electronics
W949D6DBHX5E
Winbond Electronics
W949D6DBHX5E TR
Winbond Electronics
W949D6DBHX5I TR
Winbond Electronics
W94AD6KBHX5E
Winbond Electronics
W94AD6KBHX5E TR
Winbond Electronics
W94AD6KBHX5I TR
Winbond Electronics
MT46H32M16LFCK-6 IT TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFCK-6 TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel