casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08AADWP-ET:D TR
codice articolo del costruttore | MT29F2G08AADWP-ET:D TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08AADWP-ET:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08AADWP-ET:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08AADWP-ET:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08AADWP-ET:D TR-FT |
M29W800DB70N6
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6T TR
Micron Technology Inc.
M29W800DB90N1
Micron Technology Inc.
M29W800DT45N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N1
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6F TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel