casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR
codice articolo del costruttore | MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR-FT |
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28FW01GABA1HPC-0AAT
Micron Technology Inc.
MT28FW01GABA1LPC-0AAT
Micron Technology Inc.
MT28FW02GBBA1LPC-0AAT
Micron Technology Inc.
MT28FW02GBBA1LPC-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28FW512ABA1LPC-0AAT
Micron Technology Inc.
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT
Micron Technology Inc.
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT TR
Micron Technology Inc.
MT28HL32GQBB6EBL-0GCT
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel