casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08AUCDBJ6-6:D
codice articolo del costruttore | MT29F256G08AUCDBJ6-6:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08AUCDBJ6-6:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08AUCDBJ6-6:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 132-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 132-LBGA (12x18) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08AUCDBJ6-6:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08AUCDBJ6-6:D-FT |
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBFAM78A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAM68A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel