casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B

| codice articolo del costruttore | MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 1.5Tb (192G x 8) |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B-FT |

EDB8164B4PR-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PT-1D-F-D
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PT-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PT-1DAT-F-D
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PT-1DIT-F-D
Micron Technology Inc.

EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR
Micron Technology Inc.

EDFA364A3PM-GD-F-D
Micron Technology Inc.

MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR
Micron Technology Inc.

MT25QL256ABA1EW9-0AAT
Micron Technology Inc.

MT25QL256ABA1EW9-0AAT TR
Micron Technology Inc.

M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation

M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation

EP4SGX360KF43C3
Intel

XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.

A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation

A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation

A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation

LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation

5CGXFC7C6U19C6N
Intel