casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1.5Tb (192G x 8) |
Frequenza di clock | 267MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR-FT |
MT29F128G08EBCBBJ4-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBEBBWP:B TR
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel