casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1G16ABBEAM68M3WC2
codice articolo del costruttore | MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F1G16ABBEAM68M3WC2-FT |
MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFCGBWP-10M:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCBBJ4-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1ES
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-37ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation