casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1G08ABBDAHC:D
codice articolo del costruttore | MT29F1G08ABBDAHC:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F1G08ABBDAHC:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABBDAHC:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (10.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABBDAHC:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F1G08ABBDAHC:D-FT |
MT41K256M16TW-107 AAT:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AAT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AIT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AUT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel