casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1G08ABAEAWP:E TR
codice articolo del costruttore | MT29F1G08ABAEAWP:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F1G08ABAEAWP:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABAEAWP:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABAEAWP:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F1G08ABAEAWP:E TR-FT |
MT49H8M36SJ-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H8M36SJ-5:B
Micron Technology Inc.
MT49H8M36SJ-TI:B
Micron Technology Inc.
MT49H8M36SJ-TI:B TR
Micron Technology Inc.
M58LR256KT70ZC5E
Micron Technology Inc.
M29F800FT55M3E2
Micron Technology Inc.
M28W160ECB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W160ECT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W160ECT70ZB6U TR
Micron Technology Inc.
MT48LC2M32B2P-6A AIT:J
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel