casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT28F640J3RG-115 GMET TR
codice articolo del costruttore | MT28F640J3RG-115 GMET TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT28F640J3RG-115 GMET TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT28F640J3RG-115 GMET TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 115ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT28F640J3RG-115 GMET TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT28F640J3RG-115 GMET TR-FT |
JS28F256J3D95B TR
Micron Technology Inc.
JS28F256J3F105A
Micron Technology Inc.
JS28F256M29EWHA
Micron Technology Inc.
JS28F256M29EWLA
Micron Technology Inc.
JS28F256M29EWLB TR
Micron Technology Inc.
JS28F256P30B95A
Micron Technology Inc.
JS28F256P30B95B TR
Micron Technology Inc.
JS28F256P30BFA
Micron Technology Inc.
JS28F256P30BFE
Micron Technology Inc.
JS28F256P30T95A
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel