casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QU512ABB8ESF-0SIT
codice articolo del costruttore | MT25QU512ABB8ESF-0SIT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QU512ABB8ESF-0SIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QU512ABB8ESF-0SIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU512ABB8ESF-0SIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QU512ABB8ESF-0SIT-FT |
MT29F64G08CBCABH1-12Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCABH1-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECCBH1-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECCBH1-12IT:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECCBH1-12Z:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECCBH1-12Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CKCCBH2-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CKCCBH2-12Z:C
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel