casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QU512ABB8E12-1SIT
codice articolo del costruttore | MT25QU512ABB8E12-1SIT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QU512ABB8E12-1SIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QU512ABB8E12-1SIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-T-PBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU512ABB8E12-1SIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QU512ABB8E12-1SIT-FT |
MT28F400B5SG-8 TET TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B5SP-8 T
Micron Technology Inc.
MT28F400B5SP-8 T TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 B
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 B TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 BET
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 BET TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 T
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 T TR
Micron Technology Inc.
MT28F800B3SG-9 TET
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel