casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QU512ABB8E12-0AAT
codice articolo del costruttore | MT25QU512ABB8E12-0AAT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QU512ABB8E12-0AAT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25QU512ABB8E12-0AAT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-T-PBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU512ABB8E12-0AAT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QU512ABB8E12-0AAT-FT |
N25Q032A13ESFA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESFH0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESF40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESF40G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF40E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF40G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF41F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF41G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF42F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel