casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR
codice articolo del costruttore | MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-LBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-T-PBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR-FT |
N25Q128A13BSF40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13BSF40G
Micron Technology Inc.
N25Q128A13BSFH0F
Micron Technology Inc.
N25Q128A13BSFH0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESF40E
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESF40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESF40G
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESFA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESFC0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q128A13ESFC0G
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel