casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QL512ABB8E12-1SIT
codice articolo del costruttore | MT25QL512ABB8E12-1SIT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QL512ABB8E12-1SIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QL512ABB8E12-1SIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-T-PBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QL512ABB8E12-1SIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QL512ABB8E12-1SIT-FT |
N25Q064A11ESF40G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF40E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF40G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF41F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF41G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF42F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF42G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESFH0E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel