casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MSS1P3LHM3/89A
codice articolo del costruttore | MSS1P3LHM3/89A |
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Numero di parte futuro | FT-MSS1P3LHM3/89A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
MSS1P3LHM3/89A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AD |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroSMP (DO-219AD) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSS1P3LHM3/89A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSS1P3LHM3/89A-FT |
V10P10-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HE3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HE3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HE3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HE3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12-5001M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel