casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MSS1P3HM3/89A
codice articolo del costruttore | MSS1P3HM3/89A |
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Numero di parte futuro | FT-MSS1P3HM3/89A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
MSS1P3HM3/89A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AD |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroSMP (DO-219AD) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSS1P3HM3/89A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSS1P3HM3/89A-FT |
UH6PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HE3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HE3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HE3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HE3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel