casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MSS1P2U-M3/89A
codice articolo del costruttore | MSS1P2U-M3/89A |
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Numero di parte futuro | FT-MSS1P2U-M3/89A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP® |
MSS1P2U-M3/89A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 400mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.2mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | MicroSMP |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroSMP |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSS1P2U-M3/89A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSS1P2U-M3/89A-FT |
UH6PJHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HE3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HE3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel