casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MSS1P2LHM3/89A
codice articolo del costruttore | MSS1P2LHM3/89A |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MSS1P2LHM3/89A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
MSS1P2LHM3/89A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AD |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroSMP (DO-219AD) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSS1P2LHM3/89A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSS1P2LHM3/89A-FT |
UH6PJHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH6PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HE3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HE3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel