casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSRTA20060(A)D
codice articolo del costruttore | MSRTA20060(A)D |
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Numero di parte futuro | FT-MSRTA20060(A)D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRTA20060(A)D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRTA20060(A)D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSRTA20060(A)D-FT |
MBRT20060
GeneSiC Semiconductor
MBRT20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20080
GeneSiC Semiconductor
MBRT20080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT300100
GeneSiC Semiconductor
MBRT300100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT300150
GeneSiC Semiconductor
MBRT300150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30020
GeneSiC Semiconductor
MBRT300200
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel