casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSRTA200160(A)D
codice articolo del costruttore | MSRTA200160(A)D |
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Numero di parte futuro | FT-MSRTA200160(A)D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRTA200160(A)D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRTA200160(A)D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSRTA200160(A)D-FT |
MBRT20045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20060
GeneSiC Semiconductor
MBRT20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20080
GeneSiC Semiconductor
MBRT20080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT300100
GeneSiC Semiconductor
MBRT300100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT300150
GeneSiC Semiconductor
MBRT300150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30020
GeneSiC Semiconductor
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel