casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSRTA200160(A)D
codice articolo del costruttore | MSRTA200160(A)D |
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Numero di parte futuro | FT-MSRTA200160(A)D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRTA200160(A)D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRTA200160(A)D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSRTA200160(A)D-FT |
MBRT20045R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20060
GeneSiC Semiconductor
MBRT20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRT20080
GeneSiC Semiconductor
MBRT20080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT300100
GeneSiC Semiconductor
MBRT300100R
GeneSiC Semiconductor
MBRT300150
GeneSiC Semiconductor
MBRT300150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT30020
GeneSiC Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel