casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MSMLJ12AE3
codice articolo del costruttore | MSMLJ12AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MSMLJ12AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMLJ12AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12V |
Voltage - Breakdown (Min) | 13.3V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 19.9V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 150.6A |
Potenza - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMLJ12AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSMLJ12AE3-FT |
MSMCJ110CA
Microsemi Corporation
MSMCJ110CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ11A
Microsemi Corporation
MSMCJ11AE3
Microsemi Corporation
MSMCJ11CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ12A
Microsemi Corporation
MSMCJ12AE3
Microsemi Corporation
MSMCJ12CA
Microsemi Corporation
MSMCJ12CAE3
Microsemi Corporation
MSMCJ130A
Microsemi Corporation
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation