casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MSMBJ64AE3
codice articolo del costruttore | MSMBJ64AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MSMBJ64AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ64AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 64V |
Voltage - Breakdown (Min) | 71.1V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 103V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 5.8A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ64AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSMBJ64AE3-FT |
MASMBJ8.5A
Microsemi Corporation
MASMBJ8.5AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ8.5CA
Microsemi Corporation
MASMBJ8.5CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ9.0A
Microsemi Corporation
MASMBJ9.0AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ9.0CA
Microsemi Corporation
MASMBJ9.0CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJSAC12
Microsemi Corporation
MASMBJSAC12E3
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel