casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MSMBJ26A/TR
codice articolo del costruttore | MSMBJ26A/TR |
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Numero di parte futuro | FT-MSMBJ26A/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ26A/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 26V |
Voltage - Breakdown (Min) | 28.9V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 42.1V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 14.2A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ26A/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSMBJ26A/TR-FT |
VESD12C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD26C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD26C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD33C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD33C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MASMLG8.0CAE3
Microsemi Corporation
1N6112A
Semtech Corporation
1N6464US
Semtech Corporation
XCV100-5FG256I
Xilinx Inc.
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2N
Intel
5SGXMA3K3F40I4N
Intel
5SGXEA9K1H40C2LN
Intel
XC7VX550T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
XCKU035-3SFVA784E
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation