casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MSMBJ26AE3
codice articolo del costruttore | MSMBJ26AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MSMBJ26AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ26AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 26V |
Voltage - Breakdown (Min) | 28.9V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 42.1V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 14.2A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ26AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSMBJ26AE3-FT |
MASMBJ58CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ6.0A
Microsemi Corporation
MASMBJ6.0AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ6.0CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ6.5A
Microsemi Corporation
MASMBJ6.5AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ6.5CA
Microsemi Corporation
MASMBJ6.5CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ64A
Microsemi Corporation
MASMBJ64AE3
Microsemi Corporation
XCKU035-3FFVA1156E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
10CL016ZF484I8G
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
10M25SAE144I7G
Intel
XC2VP7-5FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel