casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MSMBJ20AE3
codice articolo del costruttore | MSMBJ20AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MSMBJ20AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ20AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 20V |
Voltage - Breakdown (Min) | 22.2V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 32.4V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 18.5A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ20AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSMBJ20AE3-FT |
MASMBJ58A
Microsemi Corporation
MASMBJ58AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ58CA
Microsemi Corporation
MASMBJ58CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ6.0A
Microsemi Corporation
MASMBJ6.0AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ6.0CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ6.5A
Microsemi Corporation
MASMBJ6.5AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ6.5CA
Microsemi Corporation
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation