casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MSMBJ15AE3/TR
codice articolo del costruttore | MSMBJ15AE3/TR |
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Numero di parte futuro | FT-MSMBJ15AE3/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ15AE3/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 15V |
Voltage - Breakdown (Min) | 16.7V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 24.4V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 24A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ15AE3/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSMBJ15AE3/TR-FT |
VESD05B1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05B1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD08C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD08C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD12C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD16C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
EPF8282AVTC100-3
Intel
EP3C55U484C6N
Intel
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
10AX032E2F27I2LG
Intel
5SGSMD6N1F45I2N
Intel
AX1000-FG676I
Microsemi Corporation
A42MX24-3TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation