casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MSMBJ10AE3
codice articolo del costruttore | MSMBJ10AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MSMBJ10AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ10AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 10V |
Voltage - Breakdown (Min) | 11.1V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 17V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 35.3A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ10AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSMBJ10AE3-FT |
MASMBJ30A
Microsemi Corporation
MASMBJ30AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ30CA
Microsemi Corporation
MASMBJ30CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ33AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ33CA
Microsemi Corporation
MASMBJ33CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ36A
Microsemi Corporation
MASMBJ36AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ36CAE3
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel