casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MSMBJ100CAE3/TR
codice articolo del costruttore | MSMBJ100CAE3/TR |
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Numero di parte futuro | FT-MSMBJ100CAE3/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ100CAE3/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 100V |
Voltage - Breakdown (Min) | 111V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 162V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 3.7A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ100CAE3/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSMBJ100CAE3/TR-FT |
ESD7272LT1G
ON Semiconductor
SZESD7272LT1G
ON Semiconductor
VESD01C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD01C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03C1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD03C1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05A1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05B1-02V-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VESD05B1-02VHG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel