casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MSM5118160F-60T3K-MT
codice articolo del costruttore | MSM5118160F-60T3K-MT |
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Numero di parte futuro | FT-MSM5118160F-60T3K-MT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSM5118160F-60T3K-MT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 30ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSM5118160F-60T3K-MT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSM5118160F-60T3K-MT-FT |
BR93H76RF-2LBH2
Rohm Semiconductor
BR93H86RF-2LBH2
Rohm Semiconductor
BR24A01AF-WME2
Rohm Semiconductor
BR24A02F-WME2
Rohm Semiconductor
BR24A08F-WLBH2
Rohm Semiconductor
BR24A08F-WME2
Rohm Semiconductor
BR24A16F-WLBH2
Rohm Semiconductor
BR24A16F-WME2
Rohm Semiconductor
BR24A32F-WLBH2
Rohm Semiconductor
BR24A64F-WLBH2
Rohm Semiconductor