casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSKD60-16
codice articolo del costruttore | MSKD60-16 |
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Numero di parte futuro | FT-MSKD60-16 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSKD60-16 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSKD60-16 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSKD60-16-FT |
APT2X61D100J
Microsemi Corporation
APT2X31S20J
Microsemi Corporation
APT2X101D40J
Microsemi Corporation
APT2X101D60J
Microsemi Corporation
APT2X61DC120J
Microsemi Corporation
APT2X101D20J
Microsemi Corporation
APT2X61D60J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X30D120J
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel