casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MSD100-18
codice articolo del costruttore | MSD100-18 |
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Numero di parte futuro | FT-MSD100-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSD100-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.8kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 300A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | M3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSD100-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSD100-18-FT |
KBPF405G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBPF406G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBPF407G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBPM2005G
GeneSiC Semiconductor
KBPM201G
GeneSiC Semiconductor
KBPM202G
GeneSiC Semiconductor
KBPM204G
GeneSiC Semiconductor
KBPM206G
GeneSiC Semiconductor
KBPM208G
GeneSiC Semiconductor
KBPM210G
GeneSiC Semiconductor
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel