casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSCD200-12
codice articolo del costruttore | MSCD200-12 |
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Numero di parte futuro | FT-MSCD200-12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSCD200-12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 300A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 9mA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SD2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSCD200-12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSCD200-12-FT |
APT2X61DC120J
Microsemi Corporation
APT2X101D20J
Microsemi Corporation
APT2X61D60J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X30D120J
Microsemi Corporation
APT2X31DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X100D60J
Microsemi Corporation
APT2X51DC120J
Microsemi Corporation
APT2X31DQ120J
Microsemi Corporation
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel