casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSCD165-08
codice articolo del costruttore | MSCD165-08 |
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Numero di parte futuro | FT-MSCD165-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSCD165-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 165A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 300A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 9mA @ 800V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SD2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSCD165-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSCD165-08-FT |
APT2X101DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X101DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X30D120J
Microsemi Corporation
APT2X31DQ60J
Microsemi Corporation
APT2X100D60J
Microsemi Corporation
APT2X51DC120J
Microsemi Corporation
APT2X31DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X31D60J
Microsemi Corporation
APT2X100DQ120J
Microsemi Corporation
APT2X101DL40J
Microsemi Corporation
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel