casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MSC030SDA120S
codice articolo del costruttore | MSC030SDA120S |
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Numero di parte futuro | FT-MSC030SDA120S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSC030SDA120S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3Pak |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSC030SDA120S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSC030SDA120S-FT |
HSM320G/TR13
Microsemi Corporation
HSM320GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM320J/TR13
Microsemi Corporation
HSM320JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM330G/TR13
Microsemi Corporation
HSM330GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM330J/TR13
Microsemi Corporation
HSM330JE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM340G/TR13
Microsemi Corporation
HSM340GE3/TR13
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel