codice articolo del costruttore | MS652S |
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Numero di parte futuro | FT-MS652S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MS652S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 16V |
Frequenza - Transizione | 450MHz ~ 512MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | 10dB |
Potenza - Max | 25W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 200mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | M123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | M123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS652S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MS652S-FT |
MRF555G
Microsemi Corporation
MRF555GT
Microsemi Corporation
MRF559
Microsemi Corporation
MRF559GT
Microsemi Corporation
MRF559T
Microsemi Corporation
MRF5812M
Microsemi Corporation
MRF5812MR1
Microsemi Corporation
MRF5812MR2
Microsemi Corporation
MRF8372MR1
Microsemi Corporation
MRFC544
Microsemi Corporation
AGL600V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K10-2CQC
Microchip Technology
EPF10K50VFC484-1
Intel
10M25SCE144A7G
Intel
XC5VLX50T-1FF1136I
Xilinx Inc.
XC2VP50-6FF1152C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100A
Microsemi Corporation
LFXP3C-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC33-2X
Intel