codice articolo del costruttore | MS1226 |
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Numero di parte futuro | FT-MS1226 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MS1226 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 36V |
Frequenza - Transizione | 30MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | 18dB |
Potenza - Max | 80W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 500mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4.5A |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | M113 |
Pacchetto dispositivo fornitore | M113 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS1226 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MS1226-FT |
BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP740FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP420FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP405FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP520FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP620FH7764XTSA1
Infineon Technologies
BFP640FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP640FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP720FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP720FH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP1C3T100I7N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
10AX066K3F40I2LG
Intel
EP1K100QC208-1N
Intel