casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / MRFE6VP8600HR6
codice articolo del costruttore | MRFE6VP8600HR6 |
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Numero di parte futuro | FT-MRFE6VP8600HR6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MRFE6VP8600HR6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | LDMOS (Dual) |
Frequenza | 860MHz |
Guadagno | 19.3dB |
Tensione - Test | 50V |
Valutazione attuale | - |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 1.4A |
Potenza - Uscita | 125W |
Tensione: nominale | 130V |
Pacchetto / caso | NI-1230 |
Pacchetto dispositivo fornitore | NI-1230 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRFE6VP8600HR6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRFE6VP8600HR6-FT |
MRF6S27050HSR5
NXP USA Inc.
MRF6S27085HSR3
NXP USA Inc.
MRF6S27085HSR5
NXP USA Inc.
MRF6S9130HSR3
NXP USA Inc.
MRF6S9130HSR5
NXP USA Inc.
MRF6S9160HSR3
NXP USA Inc.
MRF6S9160HSR5
NXP USA Inc.
MRF6V10250HSR3
NXP USA Inc.
MRF6V10250HSR5
NXP USA Inc.
MRF6V12250HSR3
NXP USA Inc.