casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / MRF8S19260HSR6
codice articolo del costruttore | MRF8S19260HSR6 |
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Numero di parte futuro | FT-MRF8S19260HSR6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MRF8S19260HSR6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | LDMOS (Dual) |
Frequenza | 1.99GHz |
Guadagno | 18.2dB |
Tensione - Test | 30V |
Valutazione attuale | - |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 1.6A |
Potenza - Uscita | 74W |
Tensione: nominale | 65V |
Pacchetto / caso | SOT-1110B |
Pacchetto dispositivo fornitore | NI1230S-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF8S19260HSR6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRF8S19260HSR6-FT |
MRF21085LSR3
NXP USA Inc.
MRF21085LSR5
NXP USA Inc.
MRF281SR1
NXP USA Inc.
MRF281ZR1
NXP USA Inc.
MRF282SR1
NXP USA Inc.
MRF282ZR1
NXP USA Inc.
MRF372R3
NXP USA Inc.
MRF372R5
NXP USA Inc.
MRF373ALSR5
NXP USA Inc.
MRF374A
NXP USA Inc.
XC2S200E-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000-FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-FG484M
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6N
Intel
EPF10K30AFC256-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31C5N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel