casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / MRF6V2010GNR5
codice articolo del costruttore | MRF6V2010GNR5 |
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Numero di parte futuro | FT-MRF6V2010GNR5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MRF6V2010GNR5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 220MHz |
Guadagno | 23.9dB |
Tensione - Test | 50V |
Valutazione attuale | - |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 30mA |
Potenza - Uscita | 10W |
Tensione: nominale | 110V |
Pacchetto / caso | TO-270BA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-270G-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF6V2010GNR5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRF6V2010GNR5-FT |
MAGX-001090-700L0S
M/A-Com Technology Solutions
MAGX-0110087
M/A-Com Technology Solutions
MAPG-002729-350L00
M/A-Com Technology Solutions
MMBFJ304
ON Semiconductor
MMRF2007NR1
NXP USA Inc.
MMRF5015NR5
NXP USA Inc.
MMRF5016HSR5
NXP USA Inc.
MMRF5300NR5
NXP USA Inc.
MRF1570NT1
NXP USA Inc.
MRF18030ALSR3
NXP USA Inc.
XC2S200E-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000-FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-FG484M
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6N
Intel
EPF10K30AFC256-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31C5N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel