casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / MRF5812G
codice articolo del costruttore | MRF5812G |
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Numero di parte futuro | FT-MRF5812G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MRF5812G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Frequenza - Transizione | 5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
Guadagno | 13dB ~ 15.5dB |
Potenza - Max | 1.25W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF5812G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRF5812G-FT |
KSC2757OMTF
ON Semiconductor
KSC2757RMTF
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KSC2757YMTF
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KSC3123YMTF
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A54SX08A-2TQ100
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EP20K200EQI240-2N
Intel