casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / MRF10120
codice articolo del costruttore | MRF10120 |
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Numero di parte futuro | FT-MRF10120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MRF10120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55V |
Frequenza - Transizione | - |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | 8.5dB |
Potenza - Max | 120W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | 355C-02 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 355C-02, Style 1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF10120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRF10120-FT |
AT-32032-BLKG
Broadcom Limited
AT-32032-TR1
Broadcom Limited
AT-32032-TR1G
Broadcom Limited
AT-32032-TR2G
Broadcom Limited
AT-41532-BLKG
Broadcom Limited
AT-41532-TR1
Broadcom Limited
AT-41532-TR1G
Broadcom Limited
AT-41532-TR2G
Broadcom Limited
SD1477
STMicroelectronics
SD1488
STMicroelectronics
XC7A15T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400I
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C7
Intel
EPF10K100EFC484-1X
Intel
5SGXEA4H2F35C3N
Intel
LCMXO3LF-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP4SGX230FF35C2XN
Intel