casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MRA-12R5000FE12
codice articolo del costruttore | MRA-12R5000FE12 |
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Numero di parte futuro | FT-MRA-12R5000FE12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MRA-12 |
MRA-12R5000FE12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 500 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive, Non-Magnetic |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 250°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.312" Dia x 1.188" L (7.92mm x 30.18mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRA-12R5000FE12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRA-12R5000FE12-FT |
13FR015E
Ohmite
13FR020
Ohmite
13FR030
Ohmite
13FR040
Ohmite
13FR070
Ohmite
13FPR010E
Ohmite
13FPR100E
Ohmite
13FPR020E
Ohmite
13FPR050E
Ohmite
13FPR025E
Ohmite
XC3S200A-4FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
5SGXMA3K3F35I4N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
EP1K50QC208-2N
Intel