casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MRA-12R5000FE12
codice articolo del costruttore | MRA-12R5000FE12 |
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Numero di parte futuro | FT-MRA-12R5000FE12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MRA-12 |
MRA-12R5000FE12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 500 mOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive, Non-Magnetic |
Coefficiente di temperatura | ±90ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 250°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.312" Dia x 1.188" L (7.92mm x 30.18mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRA-12R5000FE12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRA-12R5000FE12-FT |
13FR015E
Ohmite
13FR020
Ohmite
13FR030
Ohmite
13FR040
Ohmite
13FR070
Ohmite
13FPR010E
Ohmite
13FPR100E
Ohmite
13FPR020E
Ohmite
13FPR050E
Ohmite
13FPR025E
Ohmite
A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
XC7VX485T-2FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
10AX115S4F45E3LG
Intel
EP2AGX65DF29C6N
Intel
5CEBA4U15C8N
Intel