casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MRA-126R000FE12
codice articolo del costruttore | MRA-126R000FE12 |
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Numero di parte futuro | FT-MRA-126R000FE12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MRA-12 |
MRA-126R000FE12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 6 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive, Non-Magnetic |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 250°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.312" Dia x 1.188" L (7.92mm x 30.18mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRA-126R000FE12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRA-126R000FE12-FT |
13FR020E
Ohmite
13FR150E
Ohmite
13FR200E
Ohmite
13FR005E
Ohmite
13FR050E
Ohmite
13FR030E
Ohmite
13FR070E
Ohmite
13FR005
Ohmite
13FR010
Ohmite
13FR015
Ohmite
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel