casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MRA-1220R00FE12
codice articolo del costruttore | MRA-1220R00FE12 |
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Numero di parte futuro | FT-MRA-1220R00FE12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MRA-12 |
MRA-1220R00FE12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 20 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive, Non-Magnetic |
Coefficiente di temperatura | ±30ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 250°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.312" Dia x 1.188" L (7.92mm x 30.18mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRA-1220R00FE12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRA-1220R00FE12-FT |
13FR150
Ohmite
13FR200
Ohmite
13FR015E
Ohmite
13FR020
Ohmite
13FR030
Ohmite
13FR040
Ohmite
13FR070
Ohmite
13FPR010E
Ohmite
13FPR100E
Ohmite
13FPR020E
Ohmite
LFE2-12E-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-L1FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
5SGXMA7H2F35I3N
Intel
XC6SLX16-3CSG225I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100I
Microsemi Corporation