casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MRA-12100R0FE12
codice articolo del costruttore | MRA-12100R0FE12 |
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Numero di parte futuro | FT-MRA-12100R0FE12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MRA-12 |
MRA-12100R0FE12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive, Non-Magnetic |
Coefficiente di temperatura | ±30ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 250°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.312" Dia x 1.188" L (7.92mm x 30.18mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRA-12100R0FE12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRA-12100R0FE12-FT |
13FR200E
Ohmite
13FR005E
Ohmite
13FR050E
Ohmite
13FR030E
Ohmite
13FR070E
Ohmite
13FR005
Ohmite
13FR010
Ohmite
13FR015
Ohmite
13FR025
Ohmite
13FR025E
Ohmite
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel