casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / MRA-051R000FE12
codice articolo del costruttore | MRA-051R000FE12 |
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Numero di parte futuro | FT-MRA-051R000FE12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MRA-5 |
MRA-051R000FE12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant, Non-Inductive, Non-Magnetic |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 250°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.167" Dia x 0.562" L (4.24mm x 14.27mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRA-051R000FE12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MRA-051R000FE12-FT |
13FR040
Ohmite
13FR070
Ohmite
13FPR010E
Ohmite
13FPR100E
Ohmite
13FPR020E
Ohmite
13FPR050E
Ohmite
13FPR025E
Ohmite
13FPR005E
Ohmite
13FPR015E
Ohmite
13FPR030E
Ohmite
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel