casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MR4A16BYS35
codice articolo del costruttore | MR4A16BYS35 |
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Numero di parte futuro | FT-MR4A16BYS35 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MR4A16BYS35 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Dimensione della memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 54-TSOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR4A16BYS35 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MR4A16BYS35-FT |
IS61VF51236B-7.5TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61VF51236B-7.5TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61VPS102418B-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61VPS102418B-200TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61VPS102418B-250TQL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61VPS102418B-250TQL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61VPS102436B-250TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61VPS102436B-250TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61VPS204836B-200TQLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61VPS204836B-200TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel